[정보통신신문=서유덕기자]

ST마이크로일렉트로닉스와 글로벌파운드리(GF)가 프랑스 크롤(Crolles)에 위치한 ST의 기존 300밀리미터(㎜) 공장 인근에 새로운 300㎜ 반도체 생산라인을 구축하고 공동 운영하는 내용의 양해각서(MOU)를 체결했다고 14일 밝혔다. 이 시설은 2026년까지 최대 생산능력을 갖추는 것을 목표로 하며, 전면 증축(ST 42%, GF 58%)이 완료되면 연간 최대 62만장의 300㎜ 웨이퍼를 생산할 수 있다.

ST와 GF는 유럽과 글로벌 고객을 위한 생산능력 확충에 주력하고 있다. 새 공장은 특히 FD-SOI 기반 기술을 비롯해 다양한 관련 기술을 지원할 예정이다. 여기에는 GF의 FDX 기술과 18나노(㎚) 공정에 이르는 ST 기술 로드맵이 포함된다. 이들 기술에 기반한 반도체 칩은 앞으로 자동차, 사물인터넷(IoT), 모바일 기기에서 지속적인 수요가 나타날 것으로 전망된다.

FD-SOI는 실리콘 웨이퍼 위에 절연막을 씌워 누설 전류를 줄일 수 있는 기술이다. 이 기술은 크롤 공장에서 ST 로드맵의 일부로 출발했으며, 이후 GF의 독일 드레스덴 공장에서 제조할 수 있도록 상용화됐다. FD-SOI는 초저전력 소모는 물론, RF 커넥티비티와 밀리미터파(mmWave), 보안 같은 추가 기능을 쉽게 통합할 수 있다.

ST와 GF가 구축하는 신규 생산라인은 프랑스 정부의 재정적 지원을 받는다. 이 공장은 유럽이 2030년까지 전 세계 반도체 생산량의 20%에 도달한다는 목표 등을 비롯한 유럽 반도체 법안(European Chips Act)의 목적을 달성하는 데 기여할 것으로 기대된다.

ST와 GF는 향후 글로벌 반도체 공급능력을 가속화하는 데 협력할 예정이다.

장 마크 쉐리(Jean-Marc Chery) ST 사장 겸 CEO는 “ST는 프랑스 크롤에 있는 300㎜ 웨이퍼 팹을 통해 독보적 입지를 이미 구축하고 있으며, 이는 새로운 제조시설로 더욱 강화될 것”이라며 “이탈리아 밀라노 인근 아그라테(Agrate)에 위치한 새로운 300㎜ 웨이퍼 팹과 수직 통합형 실리콘 카바이드(SiC), 질화갈륨(GaN)에 대한 투자도 이어가고 있다”고 밝혔다.

토마스 콜필드(Thomas Caulfield) GF CEO는 “새 생산라인은 GF 전용 파운드리 생산능력을 갖추고 있으며, GF 담당자가 현장을 관리할 예정”이라며 “새로운 제조역량을 확장하는 이 공장은 ST의 기존 크롤 시설의 인프라를 활용해 공동 운영된다”고 설명했다.

이어 “이번 발표를 통해 유럽의 역동적인 기술 생태계 내에서 GF의 입지를 확대하고, 유럽 내 선도적인 반도체 파운드리 업체로서의 위상을 강화할 것”이라고 말했다.

서유덕 기자 다른기사 보기